第三代半导体碳化硅（SiC）时代加速到来 衬底稳定量产成核心诉求 企业坦言：价格两年内难下跌

以SiC为衬底制成的半导体器件，可以更好满足高温、高压、大功率等条件下的应用需求。新能源汽车和光伏、储能是SiC器件主要的应用市场。衬底处于SiC整体价值量最高环节，因而被行业视为SiC器件降成本的关键。

成本高昂依然是阻碍SiC渗透率进一步提高的最大障碍，且核心材料衬底的价格在未来几年内难以下降。露笑科技日前表示，据市场需求情况判断，预计SiC衬底1-2年内难以下跌，甚至可能上涨。东尼电子则告诉《科创板日报》记者，国内来看SiC一直是供不应求的状态，“市场更关注上游衬底厂商能否保证稳定量产”。

露笑科技称，在需求方面，目前市场需求主要是光伏逆变器和工业电源领域，且由于新能源汽车验证周期较长，随着之后新能源汽车市场的需求上升，6英寸导电衬底片的需求量将进一步提升。

另外，由于公司设备具有较强通用性，从6英寸到8英寸基本可以实现零成本改造，只是大尺寸碳化硅晶体生长、研发周期极长，国内可能还需要3-5年才能实际应用。

东尼电子相关人士表示，公司SiC衬底产品目前主要针对东莞天域配套供货，目前对方已经给到了一些相对应的订单。

相比半绝缘型衬底，导电型SiC衬底在新能源汽车、光伏等领域未来需求空间更大。根据Yole数据显示，2025年全球以导电型SiC衬底制备的器件市场规模有望达到25.62亿美元。

目前A股市场中，业内天科合达、露笑科技、三安光电主要经营导电型衬底。东尼电子、露笑科技、天岳先进先后以定增或IPO募投形式，推进导电型SiC衬底研发与产业化项目落地。

“无论是前不久客户下的长期订单还是市场供求趋势，导电型的市场需求越来越大”。天岳先进相关人士对《科创板日报》记者如是表示。今年7月，天岳先进公告其获得了人民币13.93亿元的6英寸导电型碳化硅衬底产品合同，交付期限为2023年至2025年。

此前天岳先进产品主要为4英寸半绝缘型SiC衬底，在嗅到市场风向后，天岳先进于今年登陆科创板IPO，发力导电型SiC衬底，募得资金中有23亿元用于建设6英寸导电型碳化硅衬底项目，预计2026年实现全面达产，对应6英寸导电型SiC衬底产能为30万片/年。

关于IPO募投项目最新进展，天岳先进相关人士表示，公司上海工厂已经完成封顶，正在进行内部装修，“原计划在今年下半年会有少部分产品的产出，不过受到此前疫情影响，我们正在尽力赶上进度”。